A METHOD OF DIFFERENTIAL ETCHING OF THE SUBTERRANEAN FRACTURE
The present invention relates to the stimulation of wells penetrating subterranean formations. A method of differential etching of the subterranean fracture wherein non-uniform deposition of a masking material on the fracture surface or face is provided; subsequent treatment by an acid or a reactive...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | The present invention relates to the stimulation of wells penetrating subterranean formations. A method of differential etching of the subterranean fracture wherein non-uniform deposition of a masking material on the fracture surface or face is provided; subsequent treatment by an acid or a reactive fluid generates a heterogeneous etch pattern on the fracture surface, the etch pattern is largely influenced by the placement geometry of the masking material upon closure these irregularities provide mismatch of geometry that leave open conductive channel in the fracture.
Изобретение относится к области интенсификации скважин, проходящих через подземные пласты. Разработан способ дифференциальной кислотной обработки подземной трещины, при котором маскирующий материал наносится неоднородным образом на поверхности трещины. Последующая обработка кислотой или химически активной текучей средой создает неоднородный рисунок травления, в значительной степени зависящий от геометрии размещения маскирующего материала, и после смыкания трещины указанные неравности создают несовпадение геометрии смыкающихся поверхностей, что создает в трещине каналы с открытой проводимостью. |
---|