HALBLEITERVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG

A semiconductor manufacturing method and device made therefrom by forming an insulating SiO2 film on both surfaces of a silicon substrate using an ion implantation process to form a buried SiO2 layer within the substrate a predetermined depth beneath one of the substrate surfaces, isolating a body o...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	IZUMI, KATSUTOSHI, DOKEN, MASANOBU, ARIYOSHI, HISASHI
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!