Verbesserte Elektrodenstrukturen für lichtemittierende Bauelemente

Ein lichtemittierendes Bauelement besitzt einen Heteroübergang mit einer p-Typ-Schicht und einer n-Typ-Schicht. Eine n-Elektrode ist elektrisch mit der n-Typ-Schicht verbunden, während eine p-Elektrode elektrisch mit der p-Typ-Schicht verbunden ist. Die p- und die n-Elektrode sind positioniert, um e...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	THOMAS, KYLE J, IMLER, WILLIAM R, MARANOWSKI, STEVEN A, STEIGERWALD, DANIEL A, MARTIN, PAUL S, KISH JUN., FRED A, RUDAZ, SERGE L, FLETCHER, ROBERT M, LESTER, STEVEN D
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Ein lichtemittierendes Bauelement besitzt einen Heteroübergang mit einer p-Typ-Schicht und einer n-Typ-Schicht. Eine n-Elektrode ist elektrisch mit der n-Typ-Schicht verbunden, während eine p-Elektrode elektrisch mit der p-Typ-Schicht verbunden ist. Die p- und die n-Elektrode sind positioniert, um eine Region mit einer gleichmäßigen Lichtintensität zu bilden. A light emitting device includes a heterojunction having a p-type layer and an n-type layer. The n-electrode is electrically connected to the n-type layer while the p-electrode is electrically connected to the p-type layer. The p and n-electrodes are positioned to form a region having uniform light intensity.