Microelectronic structure manufacturing method for integrated circuits

A method of manufacturing a micro-electronic structure involves preparing a semiconductor substrate (5) with a main surface (10) and at least one trench (15) (shallow trench isolation) arranged on the main surface and having at least one side-wall (20). The side wall (20) and the main surface (10) have at least one common edge zone (30). The trench (15) is filled with an insulating material, in which the edge zone (30) remains uncovered. Nitrogen is introduced into the semiconductor substrate (5) so that in the region of the main surface (10) a higher nitrogen concentration exists than in the region of the edge zone. The main surface (10), as well as the edge zone (30), is oxidised to form an oxide layer (45) whose thickness in the edge zone (30) is just as great as on the main surface. Specifically, nitrogen is introduced into the semiconductor substrate (5) by implantation. Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer mikroelektronischen Struktur vorgeschlagen, bei dem in ein mit Gräben 15 versehenes Halbleitersubstrat 5 zumindest im Bereich der Hauptfläche 10 des Halbleitersubstrats 5 Stickstoff implantiert wird. Die Implantation soll dabei so durchgeführt werden, daß die Stickstoffkonzentration an der Hauptfläche 10 deutlich größer als an den Seitenwänden 20 der Gräben 15 ist. Dadurch kann bei einer nachfolgenden Oxidation des Halbleitersubstrats 5 auf der Hauptfläche 10 eine gegenüber den Seitenwänden 20 dünnere Oxidschicht 45 gebildet werden, wobei die Oxidschicht 45 im Kantenbereich 30 zwischen der Hauptfläche 10 und den Seitenwänden 20 einen homogenen Übergang aufweist. Die Implantation von Stickstoff vor der Oxidation des Halbleitersubstrats 5 führt zu einer gleichmäßigen Oxidschichtdicke auf der Hauptfläche 10.