Contamination free comminution of semiconductor material, such as silicon, using liquid jet in manufacture of solar cells, memory components, and microprocessors
At least one liquid jet is produced by the liquid compression passage through a nozzle and deflected against the semiconductor material. The jet impinges against the material surface at high velocity, with the semiconductor material located on ice. Preferably the semiconductor material is silicon. T...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; ger |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | At least one liquid jet is produced by the liquid compression passage through a nozzle and deflected against the semiconductor material. The jet impinges against the material surface at high velocity, with the semiconductor material located on ice. Preferably the semiconductor material is silicon. The material is secured on a support and in a casing, and the ice layer is of high purity water, possibly with semiconductor particles. Independent claims are included for a comminuting device.
Verfahren und Vorrichtung zum Zerkleinern von Halbleitermaterial, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein Flüssigkeitstrahl erzeugt wird, indem eine Flüssigkeit mit Druck beaufschlagt und durch eine Düse gepreßt wird, der Flüssigkeitsstrahl gegen das Halbleitermaterial gelenkt wird und auf dessen Oberfläche mit hoher Geschwindigkeit auftrifft, wobei sich das Halbleitermaterial auf einer Oberfläche aus Eis befindet. |
---|