Verfahren zum Herstellen von einkristallinen Siliziumstäben unter Steuern desZiehgeschwindigkeitsverlaufs in einem Heißzonenofen

Verfahren zum Herstellen eines Siliziumstabs in einem Heißzonenofen, aufweisend die Schritte: Ziehen eines Referenzstabs bei einem Referenz-Ziehgeschwindigkeitsverlauf mit über die Stablänge hin unterschiedlichen Ziehgeschwindigkeiten; Identifizieren einer Axialposition in dem Referenzstab, die den kleinsten fehlstellenreichen Bereich aufweist und frei von Zwischengitterplatz-Agglomeraten ist, durch Axiales Schneiden des Referenzstabs und Ermitteln der entsprechenden Axialposition in dem axial geschnittenen Referenzstab; oder Radiales Schneiden des Referenzstabs in mehrere Wafer und Ermitteln der entsprechenden Axialposition; und Bestimmen eines ersten kritischen Verhältnisses von Ziehgeschwindigkeit zu Temperaturgradient, das entlang der Stab/Schmelze-Grenzfläche nicht unterschritten werden darf, damit das Entstehen von Zwischengitterplatz-Agglomeraten dadurch verhindert wird, dass die Zwischengitterplatz-Punktdefektkonzentration an der Achse des Stabs jeweils bis zu Punkten, die eine Diffusionslänge vom Rand des Stabs entfernt sind, unterhalb derjenigen kritischen Zwischengitterplatz-Punktdefektkonzentration, ab der Zwischengitterplatz-Punktdefekte zu Agglomeraten zusammenwachsen, gehalten wird, aus der der identifizierten Axialposition zugeordneten Ziehgeschwindigkeit im Referenzstab; Bestimmen eines zweiten kritischen... Czochralski pullers are modified to grow perfect monocrystalline silicon ingots that are free of vacancy agglomerates and interstitial agglomerates, by modifying components of the Czochralski puller to produce a temperature gradient at the ingot-melt interface that is greater than about 2.5 degrees Kelvin per millimeter at the ingot axis and is also at least about equal to the temperature gradient at a diffusion length from the cylindrical edge of the ingot. By producing a temperature gradient at the ingot-melt interface that is greater than about 2.5 degrees Kelvin per millimeter at the ingot axis and that is also at least about equal to the temperature gradient at a diffusion length from the diffusion edge, an ingot-melt interface that is planar or is convex relative to the silicon melt may be produced. The ingot so pulled is sliced into a plurality of pure silicon wafers that may include point defects but that are free of vacancy agglomerates and interstitial agglomerates.