Sensor auf FET-Basis

Sensors based on FET in which the gate dielectric is a layer of amorphous hydrogen-contg. carbon (a-C:H) with a boundary surface phase density of

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: HAMMERSCHMIDT, ALBERT, FEUCHT, HANS-DIETER
Format: Patent
Sprache:ger
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Beschreibung
Zusammenfassung:Sensors based on FET in which the gate dielectric is a layer of amorphous hydrogen-contg. carbon (a-C:H) with a boundary surface phase density of