Sensor auf FET-Basis
Sensors based on FET in which the gate dielectric is a layer of amorphous hydrogen-contg. carbon (a-C:H) with a boundary surface phase density of
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Hauptverfasser: | , |
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Format: | Patent |
Sprache: | ger |
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Zusammenfassung: | Sensors based on FET in which the gate dielectric is a layer of amorphous hydrogen-contg. carbon (a-C:H) with a boundary surface phase density of |
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