Halbleiterdiode mit pn-UEbergang in einem Halbleiterkoerper aus Germanium, Silizium od. dgl. und Verfahren zu ihrer Herstellung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	KUROSE YURIKO, EZAKI REONA
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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