VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES GRUPPE-III-NITRID-EINKRISTALLSUBSTRATS UND ALUMINIUMNITRID-EINKRISTALLSUBSTRAT

Verfahren zum Herstellen eines Gruppe-III-Nitrid-Einkristallsubstrats und Aluminiumnitrid-Einkristallsubstrat, wobei das Verfahren zum Herstellen eines Gruppe-III-Nitrid-Einkristallsubstrats aufweist: Bearbeiten einer Fläche einer Gruppe-III-Nitrid-Einkristallschicht eines Schichtkörpers, sodass die...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	Fukuda, Masayuki, Hitomi, Tatsuya, Yamamoto, Reo
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR CHEMISTRY CRYSTAL GROWTH METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
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