VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES GRUPPE-III-NITRID-EINKRISTALLSUBSTRATS UND ALUMINIUMNITRID-EINKRISTALLSUBSTRAT

Verfahren zum Herstellen eines Gruppe-III-Nitrid-Einkristallsubstrats und Aluminiumnitrid-Einkristallsubstrat, wobei das Verfahren zum Herstellen eines Gruppe-III-Nitrid-Einkristallsubstrats aufweist: Bearbeiten einer Fläche einer Gruppe-III-Nitrid-Einkristallschicht eines Schichtkörpers, sodass die Fläche parallel zu einer Kristallgitterebene ist, wobei der Schichtkörper ein Basissubstrat und die Gruppe-III-Nitrid-Einkristallschicht über dem Basissubstrat aufweist, nach dem Bearbeiten, Schneiden und Trennen eines Gruppe-III-Nitrid-Einkristalls in einer Plattenform von dem Basissubstrat oder der Gruppe-III-Nitrid-Einkristallschicht, oder Schneiden und Trennen des Basissubstrats und der Gruppe-III-Nitrid-Einkristallschicht an einer Grenzfläche dazwischen in einer Plattenform, und nach dem Schneiden und Trennen, Polieren einer Schnittoberfläche des Gruppe-III-Nitrid-Einkristalls, wobei die Schnittoberfläche mittels besagten Schneidens ausgebildet wird. A method of producing a group III nitride single crystal substrate includes: processing a face of a group III nitride single crystal layer of a layered body, so that the face is parallel to a crystal lattice plane, the layered body including a base substrate, and the group III nitride single crystal layer over the base substrate; after said processing, cutting and separating a group III nitride single crystal in a form of plate from the base substrate or the group III nitride single crystal layer, or cutting and separating the base substrate and the group III nitride single crystal layer on an interface therebetween in a form of plate; and after said cutting and separating, polishing a cut surface of the group III nitride single crystal, the cut surface being formed by said cutting.