HALBLEITERBAUELEMENT

Halbleiterbauelement, aufweisend: ein Die-Pad, ein Halbleiterelement, das auf dem Die-Pad angeordnet ist, eine Elementfügeschicht, die zwischen dem Die-Pad und dem Halbleiterelement gebildet ist und das Halbleiterelement mit dem Die-Pad zusammenfügt, ein Versiegelungsharz, das das Die-Pad, das Halbleiterelement und die Elementfügeschicht bedeckt, und eine Sperrschicht, die an einem Grenzabschnitt zwischen dem Versiegelungsharz und der Elementfügeschicht gebildet ist und dazu ausgebildet ist, korrosive Ionen aus dem Versiegelungsharz zu blockieren. Das Versiegelungsharz kann eine Endfläche haben, die eine äußere Umfangsform des Versiegelungsharzes bildet, und das Die-Pad kann einen vorstehenden Abschnitt aufweisen, der aus dem Versiegelungsharz herausragt, wobei die Endfläche des Versiegelungsharzes als ein Ausgangspunkt dient. A semiconductor device includes a die pad, a semiconductor element which is disposed on the die pad, an element joining layer which is formed between the die pad and the semiconductor element and joins the semiconductor element to the die pad, a sealing resin which covers the die pad, the semiconductor element, and the element joining layer, and a barrier layer which is formed at a boundary portion between the sealing resin and the element joining layer and blocks corrosive ions derived from the sealing resin. The sealing resin may have an end surface which forms a peripheral outer shape of the sealing resin, and the die pad may include a protruding portion which protrudes outside the sealing resin, with the end surface of the sealing resin given as a starting point.