BILDGEBUNGSVORRICHTUNG
Eine Bildgebungsvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung umfasst: ein Halbleitersubstrat, das gegenüberliegende erste und zweite Oberflächen aufweist, und das eine Vielzahl von photoelektrischen Umwandlungseinheiten aufweist, in denen eine Vielzahl von Pixeln in Matrixfor...
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Format: | Patent |
Sprache: | ger |
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Zusammenfassung: | Eine Bildgebungsvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung umfasst: ein Halbleitersubstrat, das gegenüberliegende erste und zweite Oberflächen aufweist, und das eine Vielzahl von photoelektrischen Umwandlungseinheiten aufweist, in denen eine Vielzahl von Pixeln in Matrixform angeordnet sind, und eine Ladung entsprechend der Menge an empfangenem Licht mittels photoelektrischer Umwandlung für jedes Pixel erzeugt wird; und eine Intra-Pixel-Separationseinheit, die zwischen angrenzenden Pixeln bereitgestellt ist und die die angrenzenden Pixel elektrisch und optisch trennt und zwischen einer Inter-Pixel-Separationseinheit mit einem ersten Brechungsindex und einer angrenzenden photoelektrischen Umwandlungseinheit in einem Pixel bereitgestellt ist und die angrenzende photoelektrische Umwandlungseinheiten elektrisch trennt und einen zweiten Brechungsindex mit einer kleineren Differenz im Brechungsindex vom Halbleitersubstrat als der erste Brechungsindex aufweist.
An imaging device according to an embodiment of the present disclosure includes: a semiconductor substrate in which a plurality of pixels is arranged in a matrix, the semiconductor substrate including a plurality of photoelectric conversion sections that each generate electric charge corresponding to a light receiving amount by photoelectric conversion for each of the pixels; an inter-pixel separation section between the pixels adjacent to each other, electrically and optically separating the adjacent pixels from each other, and having a first refractive index; and an in-pixel separation section between the photoelectric conversion sections adjacent to each other inside each of the pixels, electrically separating the adjacent photoelectric conversion sections, and having a second refractive index, a difference between the second refractive index and a refractive index of the semiconductor substrate being smaller than a difference between the first refractive index and the refractive index of the semiconductor substrate. |
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