OBERFLÄCHENEMITTIERENDER LASER, LICHTQUELLENVORRICHTUNG, ELEKTRONISCHE VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OBERFLÄCHENEMITTIERENDEN LASERS

Bereitgestellt wird ein oberflächenemittierender Laser, der imstande ist, einen Begrenzungseffekt für Licht und Strom zwischen zumindest zwei Mesa-Strukturen unterschiedlich einzurichten, und imstande ist, die Produktivität zu verbessern.Die vorliegende Technologie stellt einen oberflächenemittierenden Laser bereit, der eine Vielzahl lichtemittierender Einheiten mit einer Mesa-Struktur enthält, wobei die lichtemittierenden Einheiten jeweils einen ersten mehrschichtigen Filmreflektor, einen zweiten mehrschichtigen Filmreflektor, eine aktive Schicht, die zwischen den ersten und zweiten mehrschichtigen Filmreflektoren angeordnet ist, zumindest eine Oxidbegrenzungsschicht, die zwischen einer Oberfläche des ersten mehrschichtigen Filmreflektors auf einer Seite, die einer Oberfläche auf einer Seite der aktiven Schicht entgegengesetzt ist, und der aktiven Schicht und/oder zwischen einer Oberfläche des zweiten mehrschichtigen Filmreflektors auf einer Seite, die einer Oberfläche auf einer Seite der aktiven Schicht entgegengesetzt ist, und der aktiven Schicht angeordnet ist, worin die Mesa-Strukturen der Vielzahl lichtemittierender Einheiten erste und zweite Mesa-Strukturen umfassen, die unterschiedliche Höhenabmessungen aufweisen und unterschiedliche Anzahlen der Oxidbegrenzungsschichten und/oder unterschiedliche Anzahlen der aktiven Schichten aufweisen. There is provided a surface emitting laser capable of making a confinement effect of light and current different between at least two mesa structures, and capable of improving productivity.The present technology provides a surface emitting laser including a plurality of light emitting units having a mesa structure, the light emitting units each including a first multilayer film reflector, a second multilayer film reflector, an active layer disposed between the first and second multilayer film reflectors, at least one oxide confinement layer disposed between a surface of the first multilayer film reflector on a side opposite to a surface on a side of the active layer and the active layer and/or between a surface of the second multilayer film reflector on a side opposite to a surface on a side of the active layer and the active layer, in which the mesa structures of the plurality of light emitting units include first and second mesa structures having different height dimensions, and having different numbers of the oxide confinement layers and/or different numbers of the active layers.