HALBLEITERBAUTEIL

Halbleiterbauteil (10), das Folgendes aufweist:eine erste leitfähige Schicht (51) und eine zweite leitfähige Schicht (61), die voneinander isoliert sind;ein Widerstandselement (20), das auf der ersten leitfähigen Schicht (51) angebracht ist; undein Halbleiterelement (40), das auf der zweiten leitfähigen Schicht (61) angebracht ist, wobeidas Widerstandselement (20) Folgendes aufweist:ein auf der ersten leitfähigen Schicht (51) angebrachtes Substrat (30);eine auf dem Substrat (30) gebildete Isolierschicht (31);eine auf der Isolierschicht (31) gebildete Dünnfilm-Widerstandsschicht (32);eine Stirnfläche (20s); undElektroden, die auf der Stirnfläche (20s) gebildet sind, undwobei die Elektroden auf der Stirnfläche (20s) voneinander getrennt gebildet sind und elektrisch mit der Dünnfilm-Widerstandsschicht (32) verbunden sind, undwobei:die Elektroden eine erste Eingangselektrode (21) und eine zweite Eingangselektrode (22) aufweisen;eine Vielzahl von Dünnfilm-Widerstandsschichten (32) angeordnet ist; unddie Dünnfilm-Widerstandsschichten (32) elektrisch in Reihe zwischen der ersten Eingangselektrode (21) und der zweiten Eingangselektrode (22) verbunden sind. This semiconductor device is provided with: a high-voltage die pad and a low-voltage die pad, which are insulated from each other; a resistive element which is mounted on the high-voltage die pad; and a semiconductor element which is mounted on the low-voltage die pad. The resistive element is provided with: a substrate which is mounted on the high-voltage die pad; an insulating layer which is formed on the substrate; and a thin film resistive layer which is formed on the insulating layer.