VERFAHREN ZUM REINIGEN EINES GRUPPE-III-NITRID-EINKRISTALL-SUBSTRATS UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG

Bereitgestellt werden ein Verfahren zur Reinigung eines Gruppe-III-Nitrid-Einkristallsubstrats, um Fremdstoffe zu entfernen, welches es ermöglicht, das Aufrauen einer Stickstoff-Polarfläche des Gruppe-III-Nitrid-Einkristallsubstrats zu unterdrücken, sowie ein Verfahren zur Herstellung eines Gruppe-I...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	Fukuda, Masayuki, Yamamoto, Reo
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMISTRY CRYSTAL GROWTH ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SEMICONDUCTOR DEVICES SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
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