VERFAHREN ZUM REINIGEN EINES GRUPPE-III-NITRID-EINKRISTALL-SUBSTRATS UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG

Bereitgestellt werden ein Verfahren zur Reinigung eines Gruppe-III-Nitrid-Einkristallsubstrats, um Fremdstoffe zu entfernen, welches es ermöglicht, das Aufrauen einer Stickstoff-Polarfläche des Gruppe-III-Nitrid-Einkristallsubstrats zu unterdrücken, sowie ein Verfahren zur Herstellung eines Gruppe-III-Nitrid-Einkristallsubstrats. Das Verfahren zur Reinigung eines Gruppe-III-Nitrid-Einkristallsubstrats mit einer Gruppe-III-Element-Polarfläche und einer der Gruppe-III-Element-Polarfläche gegenüberliegenden Stickstoff-Polarfläche weist auf: Reinigen der Stickstoff-Polarfläche mit einem Reinigungsmittel, welches eine fluororganische Verbindung enthält. Provided are a method of cleaning a group III nitride single crystal substrate which enables the roughness of a nitrogen-polar face of the group III nitride single crystal substrate to be suppressed to remove foreign substances, and a method of producing a group III nitride single crystal substrate. The method of cleaning a group III nitride single crystal substrate having a group III element-polar face, and the nitrogen-polar face opposite the group III element-polar face includes: cleaning the nitrogen-polar face with a detergent including a fluoroorganic compound.