HALBLEITEREINRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER HALBLEITEREINRICHTUNG

Es wird eine Halbleitereinrichtung angegeben, bei der die Qualität des Bondens eines Substrats und eines Halbleiterelements über eine gesinterte Metallschicht verbessert ist. Eine Halbleitereinrichtung weist Folgendes auf: ein Substrat; eine gesinterte Metallschicht; und ein Halbleiterelement, wobei das Halbleiterelement und das Substrat gebondet sind und elektrisch verbunden sind, und zwar über die gesinterte Metallschicht, die Querschnitts-Porosität der gesinterten Metallschicht gleich groß wie oder kleiner als 2 % ist, die gesinterte Metallschicht eine Mehrzahl von Kristallkörnern aufweist, und in der gesinterten Metallschicht ein unverbundener Bereich, der ein Bereich ist, der nicht von den Kristallkörnern besetzt ist, mit einem Durchmesser gleich groß wie oder kleiner als 100 nm in einer Grenzfläche zwischen den Kristallkörnern ausgebildet ist. Provided is a semiconductor device in which quality of a bonding of a substrate and a semiconductor element via a sintered metal layer is improved. A semiconductor device includes: a substrate; a sintered metal layer; and a semiconductor element, wherein the semiconductor element and the substrate are bonded and electrically connected via the sintered metal layer, cross-section porosity of the sintered metal layer is equal to or less than 2%, the sintered metal layer includes a plurality of crystal grains, and in the sintered metal layer, an unbonded portion that is a portion not occupied by the crystal grains is formed with a diameter of equal to or less than 100 nm in an interface between the crystal grains.