MEMS-ELEMENT, OPTISCHE ABTASTEINRICHTUNG, ABSTANDS-MESSEINRICHTUNG, SOWIE HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR MEMS-ELEMENTE

Eine optische Abtasteinrichtung (1), die ein MEMS-Element ist, weist Folgendes auf: eine erste Isolierschicht (34), eine erste Halbleiterschicht (31), eine zweite Isolierschicht (32) und eine zweite Halbleiterschicht (33), die in dieser Reihenfolge laminiert sind, einen ersten dotierten Bereich (16)...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Shirayanagi, Yusuke
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION ORRERADIATION OF RADIO WAVES MEASURING MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICALDEVICES MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS OPTICS PERFORMING OPERATIONS PHYSICS PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTUREOR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS RADIO DIRECTION-FINDING RADIO NAVIGATION TESTING TRANSPORTING
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Eine optische Abtasteinrichtung (1), die ein MEMS-Element ist, weist Folgendes auf: eine erste Isolierschicht (34), eine erste Halbleiterschicht (31), eine zweite Isolierschicht (32) und eine zweite Halbleiterschicht (33), die in dieser Reihenfolge laminiert sind, einen ersten dotierten Bereich (16), der an einer Grenzfläche zwischen der ersten Isolierschicht (34) und der ersten Halbleiterschicht (31) ausgebildet ist, einen zweiten dotierten Bereich (17), der an einer Grenzfläche zwischen der ersten Halbleiterschicht (31) und der zweiten Isolierschicht (32) ausgebildet ist, und einen ersten Verdrahtungsbereich (39A) und einen zweiten Verdrahtungsbereich (39B), die auf der ersten Isolierschicht (34) voneinander beabstandet angeordnet sind. Der erste dotierte Bereich (16) und der zweite dotierte Bereich (17) sind elektrisch parallel zwischen den ersten Verdrahtungsbereich (39A) und den zweiten Verdrahtungsbereich (39B) geschaltet. An optical scanning device, which is a MEMS element, includes a first insulating layer, a first semiconductor layer, a second insulating layer, and a second semiconductor layer that are laminated in this order, a first doped region formed at an interface between the first insulating layer and the first semiconductor layer, a second doped region formed at an interface between the first semiconductor layer and the second insulating layer, and a first wiring portion and a second wiring portion disposed on the first insulating layer apart from each other. The first doped region and the second doped region are electrically connected in parallel between the first wiring portion and the second wiring portion.