SCHALTUNG FÜR HOCHEMPFINDLICHE STRAHLUNGSMESSUNG

Eine Schaltung (100, 200) zum Erfassen von Strahlung mit hoher Empfindlichkeit wird offenbart. Die Schaltung umfasst einen ersten Transistor (105, 205), der so konfiguriert ist, dass er einen Spannungspegel an einem Schaltungsknoten (110, 210) auf eine Referenzspannung (120, 220) zurücksetzt. Die Schaltung umfasst auch eine Messschaltung (130, 230), die so konfiguriert ist, dass sie den Spannungspegel an dem Schaltungsknoten misst, und mindestens eine Fotodiode (150, 250), die so konfiguriert ist, dass sie den Spannungspegel an dem Schaltungsknoten als Reaktion auf Strahlung, die während einer Integrationsperiode auf die Fotodiode einfällt, verändert. Die Schaltung umfasst auch eine Verarbeitungsschaltung (115, 215), die so konfiguriert ist, dass sie den ersten Transistor steuert, um den Spannungspegel am Schaltungsknoten zurückzusetzen und anschließend die Messschaltung so zu konfigurieren, dass der Spannungspegel zu Beginn und am Ende der Integrationsperiode gemessen wird. A circuit for sensing radiation with high sensitivity is disclosed. The circuit comprises a first transistor configurable to reset a voltage-level at a circuit node to a voltage reference. The circuit also comprises measurement circuitry configured to measure the voltage-level at the circuit node, and at least one photodiode configured to vary the voltage-level at the circuit node in response to radiation incident upon the photodiode during an integration period. The circuit also comprises processing circuitry configured to control the first transistor to reset the voltage-level at the circuit node and to subsequently configure the measurement circuitry to measure the voltage-level at a start and at an end of the integration period.