GESTAPELTE DURCHKONTAKTIERUNGSNIETEN IN CHIP-HOTSPOTS

Es wird eine Struktur beschrieben, welche eine Mehrzahl von Dielektrikumszonen aufweist. Die Struktur kann eine Nietenzelle aufweisen. Die Nietenzelle kann eine Gruppe von gestapelten Durchkontaktierungen aufweisen. Die Nietenzelle kann sich durch einen Spannungs-Hotspot der Struktur erstrecken. Eine Länge der Nietenzelle kann durch mindestens eine Dielektrikumszone aus der Mehrzahl von Dielektrikumszonen führen. Die Nietenzelle kann zu einer Anzahl von Nietenzellen gehören, die in den Spannungs-Hotspot eingefügt sind. Der Spannungs-Hotspot kann zu einer Mehrzahl von Spannungs-Hotspots überall in der Struktur gehören. Eine Länge der Nietenzelle kann auf einem Modell einer Beziehung zwischen der Länge der Nietenzelle und einer Energiefreisetzungsrate der Struktur beruhen. Die Nietenzelle kann durch eine Grenzfläche zwischen einer ersten Dielektrikumszone und einer zweiten Dielektrikumszone führen, welche unterschiedliche Dielektrizitätskonstanten aufweisen. A structure including a plurality of dielectric regions is described. The structure can include a rivet cell. The rivet cell can include a set of stacked vias. The rivet cell can extend through a stress hotspot of the structure. A length of the rivet cell can thread through at least one dielectric region among the plurality of dielectric regions. The rivet cell can be among a number of rivet cells inserted in the stress hotspot. The stress hotspot can be among a plurality of stress hotspots across the structure. A length of the rivet cell can be based on a model of a relationship between the length of the rivet cell and an energy release rate of the structure. The rivet cell can thread through an interface between a first dielectric region and a second dielectric region having different dielectric constants.