VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUTEILS UND HALBLEITERBAUTEILS

Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils umfasst einen ersten Herstellungsschritt, einen zweiten Herstellungsschritt, einen Montageschritt, einen dritten Herstellungsschritt, einen Platzierungsschritt und einen Aushärtungsschritt. In dem ersten Herstellungsschritt wird ein erster Leite...

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Hauptverfasser: Saito, Koshun, Yamada, Kosuke, Ise, Kota
Format: Patent
Sprache:ger
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Beschreibung
Zusammenfassung:Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils umfasst einen ersten Herstellungsschritt, einen zweiten Herstellungsschritt, einen Montageschritt, einen dritten Herstellungsschritt, einen Platzierungsschritt und einen Aushärtungsschritt. In dem ersten Herstellungsschritt wird ein erster Leiterrahmen mit einem Inselteil hergestellt. Im zweiten Herstellungsschritt wird ein Halbleiterelement mit einer Elementvorderseite, einer Elementrückseite, einer ersten Elektrode und einer zweiten Elektrode hergestellt. Im Montageschritt wird das Halbleiterelement auf dem Inselteil mit einer ersten leitenden Paste montiert, die zwischen der Elementrückseite und dem Inselteil angeordnet ist. Im dritten Herstellungsschritt wird ein zweiter Leiterrahmen mit einem ersten Teil, einem zweiten Teil, einem Rahmenteil, einem ersten Verbindungsteil und einem zweiten Verbindungsteil hergestellt. Im Platzierungsschritt wird der zweite Leiterrahmen mit einer zweiten leitenden Paste platziert, die zwischen dem ersten Teil und der ersten Elektrode angeordnet ist, und mit einer dritten leitenden Paste, die zwischen dem zweiten Teil und der zweiten Elektrode angeordnet ist. Im Aushärtungsschritt werden die erste leitende Paste, die zweite leitende Paste und die dritte leitende Paste gehärtet. A semiconductor device manufacturing method includes a first preparation step, a second preparation step, a mounting step, a third preparation step, a placing step and a curing step. In the first preparation step, a first leadframe including an island part is prepared. In the second preparation step, a semiconductor element including an element obverse surface, an element reverse surface, a first electrode and a second electrode is prepared. In the mounting step, the semiconductor element is mounted on the island part with a first conductive paste interposed between the element reverse surface and the island part. In the third preparation step, a second leadframe including a first part, a second part, a frame part, a first connecting part and a second connecting part is prepared. In the placing step, the second leadframe is placed with a second conductive paste interposed between the first part and the first electrode and with a third conductive paste interposed between the second part and the second electrode. In the curing step, the first conductive paste, the second conductive paste and the third conductive paste are hardened.