Halbleiter-Bildgebungsvorrichtung

Eine Halbleiter-Bildgebungsvorrichtung 1 enthält ein Halbleitersubstrat 20 mit einer Hauptoberfläche 20a, die mit einer Vielzahl von lichtempfindlichen Regionen 3 versehen ist, und einen Isolierfilm 30, der auf der Hauptoberfläche 20a des Halbleitersubstrats 20 vorgesehen ist. Mehrere unebene Bereiche R sind auf einer Oberfläche (Hauptoberfläche 30b) auf der der Hauptoberfläche 20a des Halbleitersubstrats 20 gegenüberliegenden Seite in dem Isolierfilm 30 ausgebildet, und mehrere Höhenunterschiede der unebenen Bereichs R bestehen in der lichtempfindlichen Region 3. A solid-state imaging device includes a semiconductor substrate having a main surface provided with a plurality of light sensitive regions and an insulating film provided on the main surface of the semiconductor substrate. A plurality of uneven portions are formed on a surface (main surface) on the side opposite to the main surface of the semiconductor substrate in the insulating film and a plurality of height differences of the uneven portions exist in the light sensitive region.