Verfahren zum Bilden einer optischen Apertur eines Oberflächenemitters und Oberflächenemitter

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bilden einer optischen Apertur (24) eines Oberflächenemitters (120), welches Folgendes umfasst: Bereitstellen eines Schichtstapels aus Halbleiterschichten, wobei die Halbleiterschichten eine Zwischenschicht beinhalten, wobei die Zwischenschicht ein Halbleitermaterial umfasst, dass dafür geeignet ist, oxidiert zu werden, Oxidieren der Zwischenschicht zu einer Oxidationsbreite, so dass ein oxidiertes Außengebiet und ein nichtoxidiertes zentrales Gebiet in der Zwischenschicht gebildet werden, Entfernen wenigstens eines Teils des oxidierten Außengebiets, so dass ein Spalt dort gebildet wird, wo das oxidierte Außengebiet oder der Teil des oxidierten Außengebiets entfernt wurde, und Abscheiden eines elektrisch nichtleitenden Materials in dem Spalt. Das elektrisch nichtleitende Material wird unter Verwendung von Atomlagenabscheidung (ALD) abgeschieden, wobei das elektrisch nichtleitende Material (90) auf Wänden des Spalts mit einer Dicke abgeschieden wird, die kleiner als die Dicke des Spalts ist. Nach dem Abscheiden des elektrisch nichtleitenden Materials wird ein verbleibender Hohlraum des Spalts mit einem weiteren Material gefüllt. Ein Oberflächenemitter (120) mit einer optischen Apertur (24) wird ebenfalls beschrieben. A method of forming an optical aperture of a vertical cavity surface emitting laser includes the steps of providing a layer stack of semiconductor layers, the semiconductor layers including an intermediate layer comprising a semiconductor material suitable to be oxidized and oxidizing the intermediate layer to an oxidation width so as to form an oxidized outer region and a non-oxidized central region in the intermediate layer. The method also includes removing at least a part of the oxidized outer region so as to form a gap where the oxidized outer region or the part of the oxidized outer region has been removed, depositing an electrically non-conducting material on walls of the gap with a thickness smaller than a thickness of the gap, and filling a remaining void of the gap with a further material.