Halbleiter-Speicher-Vorrichtung

Eine Halbleiterspeichervorrichtung einer Ausführungsform umfasst ein Trägermaterial, eine Vielzahl von ersten leitenden Schichten, eine Säule und eine zweite leitende Schicht. Die mehreren ersten leitenden Schichten sind oberhalb des Trägermaterials vorgesehen und in einer ersten Richtung voneinander getrennt. Die Säule ist vorgesehen, um die Vielzahl der ersten leitenden Schichten zu durchdringen, und umfasst eine erste Halbleiterschicht, die sich in der ersten Richtung erstreckt. Ein Abschnitt der Säule, die sich mit den ersten leitenden Schichten überschneidet, wird als Speicherzellen verwendet. Die zweite leitende Schicht ist über der Vielzahl der ersten leitenden Schichten vorgesehen und steht in Kontakt mit der ersten Halbleiterschicht. Die zweite leitende Schicht besteht aus einem Metall oder einem Silizid. A semiconductor storage device of an embodiment includes a substrate, a plurality of first coductive layers, pillar, and a second conductive layer. The plurality of first conductive layers are provided above the substrate, and mutually separated in a first direction. The pillar is provided to penetrate the plurality of the first conductive layers, and includes a first semiconductor layer extending in the first direction. A part of the pillar that intersects with the first conductive layers are functioned as memory cells. The second conductive layer is provided above the plurality of first conductive layers and is in contact with the first semiconductor layer. The second conductive layer is made of a metal or a silicide.