Ätzvorrichtung für Siliziumkerndraht und Ätzverfahren für Siliziumkerndraht

Es wird eine Vorrichtung bereitgestellt, die in der Lage ist, die gesamte Oberfläche eines Siliziumkerndrahtes gleichmäßig zu ätzen. Eine Ätzvorrichtung (1) für einen Siliziumkerndraht (C1, C2, C3) umfasst: ein Ätzbad (11, 12) zur Aufnahme einer Ätzlösung (L1, L2); und eine Mehrzahl von Kerndrahtträgerelementen (31) zum Tragen des Siliziumkerndrahtes (C1, C2, C3), wobei die Mehrzahl von Kerndrahtträgerelementen (31) jeweils ein Loch (31A) aufweist, durch das der Siliziumkerndraht (C1, C2, C3) zu führen ist; und einen Positionsänderungsmechanismus (40) zum Ändern einer relativen Position, an der der Siliziumkerndraht (C1, C2, C3) in Bezug auf das Loch (31A) durchläuft. A device is provided which is capable of evenly etching the entire surface of a silicon core wire. An etching device (1) for a silicon core wire (C1, C2, C3) includes: an etching bath (11, 12) for holding an etching solution (L1, L2); and a plurality of core wire support members (31) for supporting the silicon core wire (C1, C2, C3), the plurality of core wire support members (31) each having a hole (31A) through which the silicon core wire (C1, C2, C3) is to pass; and a position change mechanism (40) for changing a relative position where the silicon core wire (C1, C2, C3) passes through in relation to the hole (31A).