VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERBAUELEMENTE UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT

In einer Ausführungsform dient das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (1) und umfasst die folgenden Schritte:A) Bereitstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips (2) ,B) Aufbringen eines temporären Abstandshalters (3) zum Schutz einer Lichtaustrittsfläche (20) des optoelektronischen Halbleiterchips (2),C) Ausbilden eines Reflektors (4) in lateraler Richtung direkt um den optoelektronischen Halbleiterchip (2) und um den temporären Abstandshalter (3),D) anschließendes Entfernen des temporären Abstandshalters (3), so dass der Reflektor (4) über die Lichtaustrittsfläche (20) hinausragt, undE) Aufbringen eines optischen Elements (5) auf den Reflektor (4), so dass zwischen der Lichtaustrittsfläche (20) und einer Lichteintrittsfläche (50) des optischen Elements (5) eine Lücke (42) vorhanden ist. In an embodiment, a method for producing optoelectronic semiconductor devices includes applying a temporal spacer to protect a light-exit face of an optoelectronic semiconductor chip by applying a photoresist onto a first carrier, subsequently developing the photoresist in places thereby forming the temporal spacer and subsequently mounting the optoelectronic semiconductor chip onto a side of the temporal spacer facing away from the first carrier, forming a reflector in a lateral direction directly around the optoelectronic semiconductor chip and around the temporal spacer, subsequently removing the temporal spacer so that the reflector extends beyond the light-exit face and applying an optical element onto the reflector so that a gap exists between the light-exit face and a light-entrance face of the optical element.