MAGENTORESISTIVES ELEMENT UND HALBLEITERVORRICHTUNG

Ein magnetoresistives Element gemäß der vorliegenden Offenbarung umfasst eine Mehrschichtstruktur 40, die aus wenigstens einer Schicht mit fester Magnetisierung, einer Zwischenschicht und einer Speicherungsschicht besteht; eine erste Seitenwand 51 ist auf einer lateralen Wand der Mehrschichtstruktur 40 gebildet; eine zweite Seitenwand 52 ist auf der ersten Seitenwand 51 gebildet; die erste Seitenwand 51 ist aus einem Isolationsmaterial, wie etwa SiN oder AlOx, gebildet, das den Eintritt von Wasserstoff verhindert; und die zweite Seitenwand 52 ist aus einem Wasserstoffspeicherungsmaterial, wie etwa Titan, gebildet. A magnetoresistive element of the present disclosure includes a multilayer structure made up of at least a fixed magnetization layer, an intermediate layer and a storage layer. A first side wall is formed on a side wall of the multilayer structure. A second side wall is formed on the first side wall. The first side wall is made of an insulating material, for instance SiN or AlOx, that prevents intrusion of hydrogen. The second side wall is made of a hydrogen storage material, for instance titanium.