HALBLEITERVORRICHTUNG

Halbleitervorrichtung, aufweisend:- einen Halbleiterchip (12) mit einem SiC-Substrat, das mit einem Element ausgebildet ist, wobei der Halbleiterchip Hauptelektroden auf einer Oberfläche und eine Rückfläche gegenüber der einen Oberfläche in Plattendickenrichtung aufweist;- eine erste Wärmesenke (16) und eine zweite Wärmesenke (24) als ein Paar von Wärmesenken, die angeordnet sind, um den Halbleiterchip in Plattendickenrichtung zwischen sich angeordnet aufzuweisen, wobei die erste Wärmesenke an die eine Oberfläche des Halbleiterchips angrenzt und die zweite Wärmesenke an die Rückfläche des Halbleiterchips angrenzt;- ein Anschlusselement (20), das zwischen der zweiten Wärmesenke und dem Halbleiterchip angeordnet ist, wobei das Anschlusselement die zweite Wärmesenke und die Hauptelektrode auf der Rückfläche elektrisch miteinander verbindet; und- mehrere Bondelemente (18, 22, 26), die zwischen der Hauptelektrode auf der einen Oberfläche und der ersten Wärmesenke, zwischen der Hauptelektrode auf der Rückfläche und dem Anschlusselement und zwischen dem Anschlusselement und der zweiten Wärmesenke angeordnet sind, wobei- das Anschlusselement durch mehrere Typen von Metallschichten (20a, 20b, 20c, 20d) bereitgestellt ist, die in Plattendickenrichtung gestapelt sind,- das Anschlusselement als Ganzes einen linearen Ausdehnungskoeffizienten zumindest in einer Richtung orthogonal zur Plattendickenrichtung in einem Bereich aufweist, der größer als der des Halbleiterchips und kleiner als der der zweiten Wärmesenke ist,- die mehreren Typen von Metallschichten des Anschlusselements symmetrisch in Plattendickenrichtung angeordnet sind,- die mehreren Typen von Metallschichten eine Cu-Schicht und eine Cu-haltige Legierungsschicht umfassen,- das Anschlusselement ein plattiertes Element ist, in dem die Cu-Schicht und die Legierungsschicht in drei oder mehr Schichten hintereinander geschichtet sind, und- die Legierungsschicht Cr enthält. A semiconductor device includes a semiconductor chip made of a SiC substrate and having main electrodes on one surface and a rear surface, first and second heat sinks, respectively, disposed adjacent to the one surface and the rear surface, a terminal member interposed between the second heat sink and the semiconductor chip, and a plurality of bonding members disposed between the main electrodes, the first and second heat sinks, and the terminal member. The terminal member includes plural types of metal layers symmetrically layered in the plate