HALBLEITERVORRICHTUNG UND PRODUKTIONSVERFAHREN FÜR EINE HALBLEITERVORRICHTUNG

Halbleitervorrichtung (100), die Folgendes umfasst: ein Halbleitersubstrat (110); einen Gate-Isolationsfilm (120), der auf dem Halbleitersubstrat bereitgestellt ist; eine Gate-Elektrode-Schicht (130), die auf dem Gate-Isolationsfilm bereitgestellt ist und Fremdstoffionen beinhaltet; und Source- und Drain-Gebiete (140), die auf dem Halbleitersubstrat auf beiden Seiten der Gate-Elektrode-Schicht bereitgestellt sind und Leitfähigkeitsfremdstoffe beinhalten, wobei eine Konzentration der Fremdstoffionen in der Gate-Elektrode-Schicht höher als Konzentrationen der Leitfähigkeitsfremdstoffe in den Source- und Drain-Gebieten ist. There is provided a semiconductor device including: a semiconductor substrate; a gate insulating film provided on the semiconductor substrate; a gate electrode layer that is provided on the gate insulating film and contains impurity ions; and source or drain regions that are provided on the semiconductor substrate on both sides of the gate electrode layer and contain conductive impurities, in which a concentration of the impurity ions in the gate electrode layer is higher than concentrations of the conductive impurities in the source or drain regions.