DÜNNFILMWIDERSTAND IN EINER INTEGRIERTEN SCHALTUNG UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR

Verfahren zur Herstellung eines TFR-Moduls, wobei TFR als Abkürzung für Dünnschichtwiderstand steht, in einer integrierten Schaltungs- (IC-) Struktur, wobei das Verfahren aufweist:Ausbilden eines Grabens (110) in einer integrierten Schaltungsstruktur (102, 104);Abscheiden einer resistiven TFR-Schicht (112) über der Struktur der integrierten Schaltung (102, 104) und sich in den Graben (110) erstreckend;Entfernen von Teilen der TFR-Schicht (112) außerhalb des Grabens (110), um ein TFR-Element (120) zu definieren, das einen sich seitlich erstreckenden TFR-Bodenbereich (122) und eine Vielzahl von TFR-Graten (124) aufweist, die sich von dem sich seitlich erstreckenden TFR-Bodenbereich (122) nach oben erstrecken;Durchführen zumindest eines Materialentfernungsprozesses, um eine gesamte oder Teile einer Oxidschicht (104) und zumindest eine Teilhöhe der TFR-Grate (124) zu entfernen und dadurch eine nichtleitende Struktur (104, 116) neben jedem sich nach oben erstreckenden TFR-Grat (124) auszubilden, wobei jede nichtleitende Struktur (104) eine abfallende Oberseite (132) definiert, die in einer Richtung von einer Mitte des TFR-Elements (120) weg nach unten abfällt; undAusbilden eines Paares voneinander beabstandeter Metallverbindungen (160) über gegenüberliegende Endbereichen des TFR-Elements (120), wobei jede Metallverbindung (160) einen sich jeweils nach oben erstreckenden TFR-Grat (124) kontaktiert und sich schräg über die abfallende Oberseite (132) der jeweiligen nichtleitenden Struktur erstreckt (104, 116), um dadurch über das TFR-Element (120) einen leitenden Pfad zwischen den Metallverbindungen (160) zu definieren, wobei das Ausbilden des Paares von voneinander beabstandeten Metallverbindungen (160) aufweist:Abscheiden einer Metallschicht (140) über dem TFR-Element (120); undDurchführen eines Metallätzens zum Entfernen von Teilen der Metallschicht (140), um dadurch das Paar voneinander beabstandeter Metallverbindungen (160) zu definieren, wobei das Metallätzen auch zumindest eine Teilhöhe von zumindest einem TFR-Grat (124) entfernt, der nicht durch die Metallverbindungen (160) bedeckt ist. A method for manufacturing a thin film resistor (TFR) module in an integrated circuit (IC) structure is provided. A TFR trench may be formed in an oxide layer. A resistive TFR layer may be deposited over the structure and extending into the trench. Portions of the TFR layer outside the trench may be removed by CMP to define a TFR element including a laterally-extending TFR