ALUMINIUMKOMPATIBLER DÜNNFILMWIDERSTAND (TFR) UND HERSTELLUNGSVERFAHREN

Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichtwiderstandsmoduls (TFR) in einer integrierten Schaltungs- (IC-) Struktur, wobei das Verfahren aufweist:Ausbilden eines Grabens (104; 204) in einem dielektrischen Bereich (102; 202);Ausbilden eines TFR-Elements (116; 216) in dem Graben (104; 204), wobei das...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Stom, Gregory Allen, Leng, Yaojian, Sato, Justin Hiroki
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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