ALUMINIUMKOMPATIBLER DÜNNFILMWIDERSTAND (TFR) UND HERSTELLUNGSVERFAHREN

Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichtwiderstandsmoduls (TFR) in einer integrierten Schaltungs- (IC-) Struktur, wobei das Verfahren aufweist:Ausbilden eines Grabens (104; 204) in einem dielektrischen Bereich (102; 202);Ausbilden eines TFR-Elements (116; 216) in dem Graben (104; 204), wobei das TFR-Element (116; 216) einen sich seitlich erstreckenden TFR-Bereich (119; 219) und einen TFR-Grat (118; 218) aufweist, der sich von einem sich seitlich erstreckenden TFR-Bereich (119; 219 ) nach oben erstreckt;Abscheiden zumindest einer Metallschicht (160; 260) über dem TFR-Element (116; 216)Strukturieren der zumindest einen Metallschicht (160; 260) und Ätzen der zumindest einen Metallschicht (160; 260) unter Verwendung eines Metallätzens, um ein Paar von Metall-TFR-Köpfen (170A, B) über dem TFR-Element (116; 216) an gegenüberliegenden Enden des TFR-Elements (116; 216) zu definieren, wobei das Metallätzen auch zumindest einen Teil des sich nach oben erstreckenden TFR-Grats (118; 218) entfernt. A method for manufacturing a thin film resistor (TFR) module in an integrated circuit (IC) structure may include forming a trench in a dielectric region; forming a TFR element in the trench, the TFR element including a laterally-extending TFR region and a TFR ridge extending upwardly from a laterally-extending TFR region; depositing at least one metal layer over the TFR element; and patterning the at least one metal layer and etching the at least one metal layer using a metal etch to define a pair of metal TFR heads over the TFR element, wherein the metal etch also removes at least a portion of the upwardly-extending TFR ridge. The method may also include forming at least one conductive TFR contact extending through the TFR element and in contact with a respective TFR head to thereby increase a conductive path between the respective TFR head and the TFR element.