VERFAHREN ZUR BEWERTUNG EINER SILICIUMSCHICHT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SILICIUMEPITAXIEWAFERS
Verfahren zur Bewertung einer Siliciumschicht, wobei das Verfahren umfasst:Bildung eines Oxidfilms auf einer Oberfläche einer Siliciumschicht;Durchführen einer Aufladungsbehandlung zum Aufladen einer Oberfläche des gebildeten Oxidfilms auf eine negative Ladung; undMessung des spezifischen Widerstand...
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| creator | Samata, Shuichi Makise, Sayaka Miyazaki, Sumio Mitsugi, Noritomo |
| description | Verfahren zur Bewertung einer Siliciumschicht, wobei das Verfahren umfasst:Bildung eines Oxidfilms auf einer Oberfläche einer Siliciumschicht;Durchführen einer Aufladungsbehandlung zum Aufladen einer Oberfläche des gebildeten Oxidfilms auf eine negative Ladung; undMessung des spezifischen Widerstands der Siliciumschicht, die der Aufladungsbehandlung unterzogen wurde, durch ein van-der-Pauw-Verfahren.
Provided is a method of evaluating a silicon layer, including forming an oxide film on a surface of a silicon layer, performing a charging treatment of charging a surface of the formed oxide film to a negative charge, and measuring a resistivity of the silicon layer that has been subjected to the charging treatment by a van der Pauw method. |
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Provided is a method of evaluating a silicon layer, including forming an oxide film on a surface of a silicon layer, performing a charging treatment of charging a surface of the formed oxide film to a negative charge, and measuring a resistivity of the silicon layer that has been subjected to the charging treatment by a van der Pauw method.</description><language>ger</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES ; MEASURING ; PHYSICS ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; TESTING</subject><creationdate>2024</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20240321&DB=EPODOC&CC=DE&NR=112019000505B4$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,777,882,25545,76296</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20240321&DB=EPODOC&CC=DE&NR=112019000505B4$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>Samata, Shuichi</creatorcontrib><creatorcontrib>Makise, Sayaka</creatorcontrib><creatorcontrib>Miyazaki, Sumio</creatorcontrib><creatorcontrib>Mitsugi, Noritomo</creatorcontrib><title>VERFAHREN ZUR BEWERTUNG EINER SILICIUMSCHICHT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SILICIUMEPITAXIEWAFERS</title><description>Verfahren zur Bewertung einer Siliciumschicht, wobei das Verfahren umfasst:Bildung eines Oxidfilms auf einer Oberfläche einer Siliciumschicht;Durchführen einer Aufladungsbehandlung zum Aufladen einer Oberfläche des gebildeten Oxidfilms auf eine negative Ladung; undMessung des spezifischen Widerstands der Siliciumschicht, die der Aufladungsbehandlung unterzogen wurde, durch ein van-der-Pauw-Verfahren.
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