VERFAHREN ZUR BEWERTUNG EINER SILICIUMSCHICHT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SILICIUMEPITAXIEWAFERS

Verfahren zur Bewertung einer Siliciumschicht, wobei das Verfahren umfasst:Bildung eines Oxidfilms auf einer Oberfläche einer Siliciumschicht;Durchführen einer Aufladungsbehandlung zum Aufladen einer Oberfläche des gebildeten Oxidfilms auf eine negative Ladung; undMessung des spezifischen Widerstand...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Samata, Shuichi, Makise, Sayaka, Miyazaki, Sumio, Mitsugi, Noritomo
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES MEASURING PHYSICS SEMICONDUCTOR DEVICES TESTING
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Verfahren zur Bewertung einer Siliciumschicht, wobei das Verfahren umfasst:Bildung eines Oxidfilms auf einer Oberfläche einer Siliciumschicht;Durchführen einer Aufladungsbehandlung zum Aufladen einer Oberfläche des gebildeten Oxidfilms auf eine negative Ladung; undMessung des spezifischen Widerstands der Siliciumschicht, die der Aufladungsbehandlung unterzogen wurde, durch ein van-der-Pauw-Verfahren. Provided is a method of evaluating a silicon layer, including forming an oxide film on a surface of a silicon layer, performing a charging treatment of charging a surface of the formed oxide film to a negative charge, and measuring a resistivity of the silicon layer that has been subjected to the charging treatment by a van der Pauw method.