Halbleitervorrichtung, Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung und Leistungsumwandlungsvorrichtung

Ein erstes Ausrichtungsharz (4) ist in einer Ringform auf einer Elektrode (3) eines Isoliersubstrats (1) ausgebildet. Ein erstes plattenförmiges Lötmetall (5) mit einer Dicke, die dünner als diejenige des ersten Ausrichtungsharzes (4) ist, ist auf einer Innenseite der Ringform des ersten Ausrichtungsharzes (4) auf der Elektrode (3) angeordnet. Ein Halbleiterchip (6) ist auf dem ersten plattenförmigen Lötmetall (5) angeordnet. Das erste plattenförmige Lötmetall (5) lässt man schmelzen, um eine untere Oberfläche des Halbleiterchips (6) an die Elektrode (3) zu bonden. A first alignment resin (4) is formed in an annular shape on an electrode (3) of an insulating substrate (1). First plate solder (5) having a thickness thinner than that of the first alignment resin (4) is arranged on the electrode (3) on an inner side of the annular shape of the first alignment resin (4). A semiconductor chip (6) is arranged on the first plate solder (5). The first plate solder (5) is made to melt to bond a lower surface of the semiconductor chip (6) to the electrode (3).