LEISTUNGSHALBLEITERGERÄT

Ein Ziel der Erfindung ist es, die Zuverlässigkeit eines Leistungshalbleitergerätes zu verbessern. Das erfindungsgemäße Leistungshalbleitergerät umfasst ein Halbleiterbauelement, einen ersten und einen zweiten Anschluss zur Übertragung von Strom auf das Halbleiterbauelement, eine erste und eine zweite Basis, die unter Zwischenschaltung eines Teils des ersten Anschlusses, eines Teils des zweiten Anschlusses und des Halbleiterbauelements einander zugewandt angeordnet sind, sowie ein in einem Raum zwischen der ersten und der zweiten Basis vorgesehenes Dichtungsmaterial. Der zweite Anschluss weist ein Zwischenstück auf, das so ausgebildet ist, dass der Abstand von des ersten Anschlusses in Richtung von dem Zwischenstück weg zunimmt. Das Zwischenstück ist zwischen der ersten und der zweiten Basis in dem Dichtungsmaterial vorgesehen. An object of the invention is to improve the reliability of a power semiconductor device. The power semiconductor device according to the invention includes a semiconductor element, a first terminal and a second terminal that transmit current to the semiconductor element, a first base and a second base that are disposed to face each other while interposing a part of the first terminal, a part of the second terminal, and the semiconductor element between the first base and the second base, and a sealing material that is provided in a space between the first base and the second base. The second terminal includes an intermediate portion formed in such a way that a distance from the first terminal increases along a direction away from the semiconductor element. The intermediate portion is provided between the first base and the second base and in the sealing material.