Verfahren zur Zufuhr von Ausgangsmaterial und Verfahren zur Herstellung eines Silicium-Einkristalls

Ein Stoffzufuhrverfahren schließt einen Verfestigungsschritt zum Verfestigen eines Oberfläche einer Siliciumschmelze, einen Schritt des Fallenlassens zum Fallenlassen eines Feststoffs auf einen in dem Verfestigungsschritt gebildeten verfestigten Teil, und einen Schmelzschritt zum Schmelzen des verfe...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Kanehara, Takahiro, Yokoyama, Ryusuke, Kawakami, Rui
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR CHEMISTRY CRYSTAL GROWTH METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	Ein Stoffzufuhrverfahren schließt einen Verfestigungsschritt zum Verfestigen eines Oberfläche einer Siliciumschmelze, einen Schritt des Fallenlassens zum Fallenlassen eines Feststoffs auf einen in dem Verfestigungsschritt gebildeten verfestigten Teil, und einen Schmelzschritt zum Schmelzen des verfestigten Teils der Siliciumschmelze und des Feststoffs ein. In dem Schritt des Fallenlassens wird der Feststoff fallengelassen, während ein elektromagnetisches Querfeld von mehr als 0 Tesla und 0,05 Tesla oder weniger an die Siliciumschmelze angelegt ist. This method for supplying a raw material comprises a solidification step for solidifying the surface of a silicon melt, a dropping step for dropping a solid raw material to a solidified portion formed in the solidification step, and a melting step for melting the solidified portion and the solid raw material. In the dropping step, the solid raw material is dropped with a transverse magnetic field of more than 0 tesla and not more than 0.05 tesla being applied to the silicon melt.