Verfahren zum Bilden einer Halbleitereinheit

Verfahren zum Bilden einer Halbleitereinheit (800), wobei das Verfahren aufweist:Bilden (704) eines Source-Anschlusses (825) und eines Drain-Anschlusses (827) eines Feldeffekttransistors (FET) auf einem Substrat (805), wobei der Source-Anschluss und der Drain-Anschluss auf jeder Seite eines Kanalbereichs (850) durch Ätzen von Aussparungen in dem Substrat und Abscheiden von dotierten Bereichen in den Aussparungen gebildet werden; undBilden (706) einer Energiebarriere (830) zwischen dem Source-Anschluss und dem Kanalbereich durch Ätzen einer Aussparung in dem Substrat und Abscheiden eines dotieren Bereich in dieser Aussparung; undBilden (708) einer leitfähigen Gate-Elektrode oberhalb des Kanalbereichs. A method and resulting structures for a semiconductor device includes forming a source terminal of a semiconductor fin on a substrate. An energy barrier is formed on a surface of the source terminal. A channel is formed on a surface of the energy barrier, and a drain terminal is formed on a surface of the channel. The drain terminal and the channel are recessed on either sides of the channel, and the energy barrier is etched in recesses formed by the recessing. The source terminal is recessed using timed etching to remove a portion of the source terminal in the recesses formed by etching the energy barrier. A first bottom spacer is formed on a surface of the source terminal and a sidewall of the semiconductor fin, and a gate stack is formed on the surface of the first bottom spacer.