PLASMAABSTREIFWERKZEUG MIT EINHEITLICHKEITSSTEUERUNG

Plasmabearbeitungsvorrichtung, umfassend:eine Bearbeitungskammer (110),einen ersten Sockel (212) in der Bearbeitungskammer (110), der zum Tragen eines Werkstücks (214) betreibbar ist, wobei der erste Sockel (212) eine erste Bearbeitungsstation definiert;einen zweiten Sockel (222) in der Bearbeitungskammer (110), der zum Tragen eines Werkstücks (214) betreibbar ist, wobei der zweite Sockel (222) eine zweite Bearbeitungsstation definiert;eine erste Plasmakammer (120), die über der ersten Bearbeitungsstation angeordnet ist, wobei die erste Plasmakammer (120) einer ersten induktiven Plasmaquelle (135) zugeordnet ist, wobei die erste Plasmakammer (120) von der Bearbeitungskammer (110) durch ein erstes Trenngitter (116) getrennt ist;eine zweite Plasmakammer (140), die über der zweiten Bearbeitungsstation angeordnet ist, wobei die zweite Plasmakammer (140) einer zweiten induktiven Plasmaquelle (155) zugeordnet ist, wobei die zweite Plasmakammer (140) von der Bearbeitungskammer (110) durch ein zweites Trenngitter (166) getrennt ist; undeine Deckplatte (124), die über der ersten Plasmakammer (120) und der zweiten Plasmakammer (140) angeordnet ist, wobei die Deckplatte (124) ein symmetrisches Temperaturregelsystem umfassend einen Kühlkanal (530) mit einem ersten Zweig (538), der sich um die erste Plasmakammer (120) erstreckt, und einem zweiten Zweig (539), der sich um die zweite Plasmakammer (140) erstreckt, aufweist, wobeider Kühlkanal (530) einen Einlass (536) für den ersten Zweig (538) und den zweiten Zweig (539), einen ersten Auslass (542) für den ersten Zweig (538) und einen zweiten Auslass (544) für den zweiten Zweig (539) aufweist, wobei der Einlass (536) zwischen der ersten Plasmakammer (120) und der zweiten Plasmakammer (140) angeordnet ist wenn die Deckplatte (124) auf der Plasmabearbeitungsvorrichtung positioniert ist Plasma strip tools with process uniformity control are provided. In one example implementation, a plasma processing apparatus includes a processing chamber, a first pedestal in the processing chamber operable to support a workpiece, and a second pedestal in the processing chamber operable to support another workpiece. The first pedestal can define a first processing station. The second pedestal can define a second processing station. The apparatus can further include a first plasma chamber disposed above the first processing station and a second plasma chamber disposed above the second processing station. The first plasma chamber can be asso