Halbleiterlaserdiode und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlaserdiode

Halbleiterlaserdiode (100), aufweisend- eine durch ein Epitaxieverfahren hergestellte Halbleiterschichtenfolge (2) mit zumindest einer aktiven Schicht (3),- auf zumindest einem Oberflächenbereich (20) der Halbleiterschichtenfolge (2) eine Gallium-haltige Passivierungsschicht (10), wobei die Passivie...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	Taeger, Sebastian, Lell, Alfred
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS DEVICES USING STIMULATED EMISSION ELECTRICITY
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