Halbleiterlaserdiode und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlaserdiode

Halbleiterlaserdiode (100), aufweisend- eine durch ein Epitaxieverfahren hergestellte Halbleiterschichtenfolge (2) mit zumindest einer aktiven Schicht (3),- auf zumindest einem Oberflächenbereich (20) der Halbleiterschichtenfolge (2) eine Gallium-haltige Passivierungsschicht (10), wobei die Passivierungschicht (10) eine geringere Kristallinität als alle Halbleiterschichten der Halbleiterschichtenfolge (2) aufweist, wobei die Passivierungsschicht (10) zumindest eine Schicht mit AlGaN aufweist und die Zusammensetzung des AlGaN über eine Dicke der Passivierungsschicht (10) variiert, und/oder wobei die Halbleiterschichtenfolge (2) eine Stegwellenleiterstruktur (9) mit einem Steg mit Stegseitenflächen aufweist und der Oberflächenbereich (20) zumindest eine Stegseitenfläche umfasst und wobei die Passivierungsschicht (10) entlang einer Abstrahlrichtung der Halbleiterlaserdiode (100) eine variierende Schicht- und/oder Materialzusammensetzung aufweist. A semiconductor laser diode and a method for manufacturing a semiconductor laser diode are disclosed. In an embodiment a semiconductor laser diode includes an epitaxially produced semiconductor layer sequence comprising at least one active layer and a gallium-containing passivation layer on at least one surface region of the semiconductor layer sequence.