Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Betriebsverfahren für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil

Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) mit- einer Halbleiterschichtenfolge (2), die eine aktive Zone (22) zur Erzeugung von Strahlung mittels Elektrolumineszenz umfasst,- einer p-Elektrode (31) und einer n-Elektrode (32),- einer elektrisch isolierenden Passivierungsschicht (4) an Seitenflächen (25) der Halbleiterschichtenfolge (2), und- einer Randfelderzeugungsvorrichtung (5) an den Seitenflächen (25) an einer der Halbleiterschichtenfolge (2) abgewandten Seite der Passivierungsschicht (4) an der aktiven Zone (22), wobei die Randfelderzeugungsvorrichtung (5) dazu eingerichtet ist, mindestens zeitweise in einem Randbereich (52) der aktiven Zone (22) ein elektrisches Feld zu erzeugen, sodass im Betrieb ein Stromfluss durch die Halbleiterschichtenfolge (2) in dem Randbereich (52) steuerbar ist, wobei eines oder beide der folgenden Merkmale (i), (ii) erfüllt ist/sind:(i) eine der Elektroden (31, 32) erstreckt sich durch die aktive Zone (22) in Form von Zapfen hindurch und die Randfelderzeugungsvorrichtung (5) erstreckt sich um zumindest manche der Zapfen ringförmig, (ii) die Halbleiterschichtenfolge (2) ist zu Inseln pixeliert und die Randfelderzeugungsvorrichtung (5) erstreckt sich direkt um zumindest einige der Inseln. An optoelectronic semiconductor device includes a semiconductor layer sequence including an active zone that generates radiation by electroluminescence; a p-electrode and an n-electrode; an electrically insulating passivation layer on side surfaces of the semiconductor layer sequence; and an edge field generating device on the side surfaces on a side of the passivation layer facing away from the semiconductor layer sequence at the active zone, wherein the edge field generating device is configured to generate an electric field at least temporarily in an edge region of the active zone so that, during operation, a current flow through the semiconductor layer sequence is controllable in the edge region.