WÄRMEABSCHIRMBAUTEIL, EINKRISTALL-ZIEHVORRICHTUNG UND VERWENDUNG DERSELBEN ZUR HERSTELLUNG EINES SILICIUM-EINKRISTALL-INGOTS

Wärmeabschirmbauteil (1), das in einer Einkristall-Ziehvorrichtung (100) für das Ziehen eines Silicium-Einkristall-Ingots (I) aus einer Siliciumschmelze (M), die in einem Quarztiegel (52a) enthalten ist und mit einer Heizung (54), die um den Tiegel (52a) herum angebracht ist, erhitzt wird, vorgesehe...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	Kuragaki, Shunji, Tanabe, Kazumi, Kajiwara, Kaoru, Suewaka, Ryota
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR CHEMISTRY CRYSTAL GROWTH METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
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