WÄRMEABSCHIRMBAUTEIL, EINKRISTALL-ZIEHVORRICHTUNG UND VERWENDUNG DERSELBEN ZUR HERSTELLUNG EINES SILICIUM-EINKRISTALL-INGOTS

Wärmeabschirmbauteil (1), das in einer Einkristall-Ziehvorrichtung (100) für das Ziehen eines Silicium-Einkristall-Ingots (I) aus einer Siliciumschmelze (M), die in einem Quarztiegel (52a) enthalten ist und mit einer Heizung (54), die um den Tiegel (52a) herum angebracht ist, erhitzt wird, vorgesehe...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Kuragaki, Shunji, Tanabe, Kazumi, Kajiwara, Kaoru, Suewaka, Ryota
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR CHEMISTRY CRYSTAL GROWTH METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Wärmeabschirmbauteil (1), das in einer Einkristall-Ziehvorrichtung (100) für das Ziehen eines Silicium-Einkristall-Ingots (I) aus einer Siliciumschmelze (M), die in einem Quarztiegel (52a) enthalten ist und mit einer Heizung (54), die um den Tiegel (52a) herum angebracht ist, erhitzt wird, vorgesehen ist, wobei das Wärmeabschirmbauteil (1) einen zylinderförmigen röhrenförmigen Teil (2), der eine äußere Umfangsfläche des Silicium-Einkristall-Ingots (I) umgibt; sowie einen ringförmigen vorstehenden Teil (3) unterhalb des röhrenförmigen Teils (2) umfasst,wobei der vorstehende Teil (3) eine obere Wand (3a), eine Bodenwand (3b) und zwei senkrechte Wände (3c, 3d); sowie ein Wärmeisolationsmaterial (H) mit einer Ringform, das von diesen Wänden (3c, 3d) umgeben ist, aufweist,ein Spalt (V) zwischen der senkrechten Wand (3c), die sich in der Nähe des Silicium-Ingots (I) befindet, und dem Wärmeisolationsmaterial (H) existiert undder Unterschied Rdzwischen dem Öffnungsdurchmesser RSdes Wärmeabschirmbauteils (1) und dem Öffnungsdurchmesser Rhdes Wärmeisolationsmaterials (H) größer als 5 mm und 200 mm oder weniger ist. Provided is a heat shielding member, a single crystal pulling apparatus, and a method of producing a single crystal silicon ingot, which can expand the margin of the crystal pulling rate with which a defect-free single crystal silicon can be obtained. A heat shielding member is provided in a single crystal pulling apparatus, the heat shielding member including a cylindrical tubular portion surrounding an outer circumferential surface of the single crystal silicon ingot; and a ring-shaped projecting portion under the tubular portion. The projecting portion has an upper wall, a bottom wall, and two vertical walls, a heat insulating material with a ring shape is provided in the space surrounded by those walls; and a gap between the vertical wall adjacent to the single crystal silicon ingot and the heat insulating material.