HALBLEITEREINHEIT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DERSELBEN

Es wird eine Halbleitereinheit angegeben, die elektronische Komponenten aufweist, die über eine gesinterte Schicht (5) aus Metall-Nanopartikeln elektrisch miteinander verbunden sind, wobei in der gesinterten Schicht (5) aus Metall-Nanopartikeln ein Metalldiffusionsbereich (11) ausgebildet ist, in dem ein Metall diffundiert, das eine auf einer Oberfläche von einer der elektronischen Komponenten ausgebildete Metallisierungsschicht (4) bildet, und in dem das Metall gemäß einer TEM-EDS-Analyse in einer Menge von 10 Massen-% oder mehr und von weniger als 100 Massen-% vorliegt, und wobei der Metalldiffusionsbereich (11) eine Dicke aufweist, die geringer als die Dicke der Metallisierungsschicht ist. Provided is a semiconductor device including electronic components electrically joined to each other via a metal nanoparticle sintered layer, wherein the metal nanoparticle sintered layer has formed therein a metal diffusion region in which a metal constituting a metallization layer formed on a surface of one of the electronic components is diffused, and in which the metal is present in an amount of 10 mass % or more and less than 100 mass % according to TEM-EDS analysis, and wherein the metal diffusion region has a thickness smaller than a thickness of the metallization layer.