HALBLEITERELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DESSELBEN
Es wird ein Halbleiterelement angegeben, das Folgendes aufweist: ein Substrat vom Typ mit Leitung von vom nach hinten, das eine vorderseitige Elektrode und eine rückseitige Elektrode aufweist; sowie eine stromlos plattierte Schicht, die auf mindestens einer der Elektroden des Substrats vom Typ mit L...
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| description | Es wird ein Halbleiterelement angegeben, das Folgendes aufweist: ein Substrat vom Typ mit Leitung von vom nach hinten, das eine vorderseitige Elektrode und eine rückseitige Elektrode aufweist; sowie eine stromlos plattierte Schicht, die auf mindestens einer der Elektroden des Substrats vom Typ mit Leitung von vom nach hinten ausgebildet ist. Die stromlos plattierte Schicht weist auf: eine stromlos plattierte Nickel-Phosphor-Schicht; sowie eine stromlos plattierte Gold-Schicht, die auf der stromlos plattierten Nickel-Phosphor-Schicht ausgebildet ist, und sie weist eine Mehrzahl von Vertiefungen auf, die an einer mit einem Lot zu verbindenden Oberfläche derselben ausgebildet sind.
Provided is a semiconductor element including: a front-back conduction-type substrate including a front-side electrode and a back-side electrode; and an electroless plating layer formed on at least one of the electrodes of the front-back conduction-type substrate. The electroless plating layer includes: an electroless nickel-phosphorus plating layer; and an electroless gold plating layer formed on the electroless nickel-phosphorus plating layer, and has a plurality of recesses formed on a surface thereof to be joined with solder. |
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Provided is a semiconductor element including: a front-back conduction-type substrate including a front-side electrode and a back-side electrode; and an electroless plating layer formed on at least one of the electrodes of the front-back conduction-type substrate. The electroless plating layer includes: an electroless nickel-phosphorus plating layer; and an electroless gold plating layer formed on the electroless nickel-phosphorus plating layer, and has a plurality of recesses formed on a surface thereof to be joined with solder.</description><language>ger</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CHEMICAL SURFACE TREATMENT ; CHEMISTRY ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL ; COATING METALLIC MATERIAL ; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL ; METALLURGY ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><creationdate>2019</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20191107&DB=EPODOC&CC=DE&NR=112018000876T5$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76516</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20191107&DB=EPODOC&CC=DE&NR=112018000876T5$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>Ueno, Ryuji</creatorcontrib><creatorcontrib>Sunamoto, Masatoshi</creatorcontrib><title>HALBLEITERELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DESSELBEN</title><description>Es wird ein Halbleiterelement angegeben, das Folgendes aufweist: ein Substrat vom Typ mit Leitung von vom nach hinten, das eine vorderseitige Elektrode und eine rückseitige Elektrode aufweist; sowie eine stromlos plattierte Schicht, die auf mindestens einer der Elektroden des Substrats vom Typ mit Leitung von vom nach hinten ausgebildet ist. Die stromlos plattierte Schicht weist auf: eine stromlos plattierte Nickel-Phosphor-Schicht; sowie eine stromlos plattierte Gold-Schicht, die auf der stromlos plattierten Nickel-Phosphor-Schicht ausgebildet ist, und sie weist eine Mehrzahl von Vertiefungen auf, die an einer mit einem Lot zu verbindenden Oberfläche derselben ausgebildet sind.
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