HALBLEITERELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DESSELBEN

Es wird ein Halbleiterelement angegeben, das Folgendes aufweist: ein Substrat vom Typ mit Leitung von vom nach hinten, das eine vorderseitige Elektrode und eine rückseitige Elektrode aufweist; sowie eine stromlos plattierte Schicht, die auf mindestens einer der Elektroden des Substrats vom Typ mit Leitung von vom nach hinten ausgebildet ist. Die stromlos plattierte Schicht weist auf: eine stromlos plattierte Nickel-Phosphor-Schicht; sowie eine stromlos plattierte Gold-Schicht, die auf der stromlos plattierten Nickel-Phosphor-Schicht ausgebildet ist, und sie weist eine Mehrzahl von Vertiefungen auf, die an einer mit einem Lot zu verbindenden Oberfläche derselben ausgebildet sind. Provided is a semiconductor element including: a front-back conduction-type substrate including a front-side electrode and a back-side electrode; and an electroless plating layer formed on at least one of the electrodes of the front-back conduction-type substrate. The electroless plating layer includes: an electroless nickel-phosphorus plating layer; and an electroless gold plating layer formed on the electroless nickel-phosphorus plating layer, and has a plurality of recesses formed on a surface thereof to be joined with solder.