Flash-Speicheranordnung und Verfahren zu deren Herstellung

Verfahren zum Herstellen einer Flash-Speicheranordnung auf einem Substrat, wobei das Verfahren die folgenden Schritte aufweist:Anfertigen des Substrats (100) mit flacher Grabenisolation (120), um aktive Abschnitte (110) zu definieren und voneinander zu trennen;Abscheiden einer Floating-Gate-Oxidschicht (140) auf dem angefertigten Substrat (100);Abscheiden einer Floating-Gate-Polysiliziumschicht (130) auf der Floating-Gate-Oxidschicht (140);Polieren der Floating-Gate-Polysiliziumschicht (130), um eine Vielzahl von schmalen Floating-Gates (130) oberhalb der aktiven Abschnitte (110) des Substrats (100) zu isolieren;Abscheiden einer Siliziumnitridschicht (150) auf der Vielzahl von Floating-Gates (130);Strukturieren und Ätzen der Siliziumnitridschicht (150), um Siliziumnitridelemente zu erzeugen;Abscheiden einer Reihe von Oxidabstandshaltern (170) entlang der Seiten der Siliziumnitridelemente;Einsetzen eines Source-Übergangs (180) in das Substrat (100) unterhalb der einzelnen Floating-Gates (130);Entfernen der Floating-Gate-Polysiliziumschicht (130), außer unter einzelnen Oxidabstandshaltern (170), wobei die verbleibenden Floating-Gates (130) eine Breite von etwa 120 nm aufweisen, dann Entfernen der Reihe von Oxidabstandshaltern (170);Abscheiden einer Zwischenpolyschicht (190) auf den verbleibenden Floating-Gates (130); Abscheiden einer zweiten Polysiliziumschicht (200) auf der Zwischenpolyschicht (190); undStrukturieren und Ätzen der zweiten Polysiliziumschicht (200), um die zweite Polysiliziumschicht (200) in Wortleitungsanordnungen (250) und Lösch-Gates (260) zu trennen. A method for manufacturing a flash memory device on a substrate may include: preparing the substrate with shallow trench isolation to define active sections; depositing a floating gate oxide layer on the prepared substrate; depositing a floating gate polysilicon layer on the floating gate oxide layer; polishing the floating gate polysilicon layer to isolate a plurality of floating gates above the active sections of the substrate; depositing a silicon nitride layer on top of the plurality of floating gates; patterning and etching the silicon nitride layer to create silicon nitride features; depositing a set of oxide spacers along sides of the silicon nitride features; implanting a source junction into the substrate beneath the individual floating gates; removing the floating gate polysilicon layer except where beneath individual oxide spacers, then removing the set of oxide spacers; depositin