HALBLEITERVORRICHTUNG

Halbleitervorrichtung, umfassendeine Halbleiterschicht (2) mit einer ersten Hauptfläche (3) auf einer ersten Seite und einer zweiten Hauptfläche (4) auf einer anderen Seite;eine Einheitszelle (15), die einen Diodenbereich (24) eines ersten Leitfähigkeitstyps, der in einem Oberflächenschichtabschnitt der ersten Hauptfläche (3) der Halbleiterschicht (2) ausgebildet ist, einen Well-Bereich (25) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, der in dem Oberflächenschichtabschnitt der ersten Hauptfläche (3) der Halbleiterschicht (2) entlang einer Umfangskante des Diodenbereichs (24) ausgebildet ist, und einen Bereich (26) des ersten Leitfähigkeitstyps, der in einem Oberflächenschichtabschnitt des Well-Bereichs (25) ausgebildet ist, beinhaltet;eine Gate-Elektrode (33), die dem Well-Bereich (25) und dem Bereich (26) des ersten Leitfähigkeitstyps über einen Gate-Isolierfilm (32) zugewandt ist und die eine Seitenwand aufweist, die über dem Bereich (26) des ersten Leitfähigkeitstyps angeordnet ist;einen Isolierfilm (81), der die Gate-Elektrode (33) bedeckt; undeinen Flächenelektrodenfilm (91), der elektrisch mit dem Diodenbereich (24) und dem Bereich (26) des ersten Leitfähigkeitstyps auf der ersten Hauptfläche (3) verbunden ist, wobei der Flächenelektrodenfilm (91) einen Schottky-Übergang mit dem Diodenbereich bildet,wobei die erste Hauptfläche (3) der Halbleiterschicht (2) einen Aussparungsabschnitt (71) aufweist, der in einer Region ausgebildet ist, die auf einer Seite der Gate-Elektrode (33) angeordnet ist, derart, dass er hin zu der zweiten Hauptfläche (4) zurückversetzt ist,wobei der Isolierfilm (81) einen Verlängerungs- oder Abdeckabschnitt (83) aufweist, der sich entlang der ersten Hauptfläche (3) hin zu dem Diodenbereich (24) erstreckt,wobei der Flächenelektrodenfilm (91) den Verlängerungsabschnitt (83) des Isolierfilms (81) bedeckt, undwobei ein Abschnitt des Flächenelektrodenfilms (91), der über dem Verlängerungsabschnitt (83) des Isolierfilms (81) angeordnet ist, und zwar auf einer Seite des Diodenbereichs (24), sowohl einen horizontalen Abschnitt, der sich entlang einer horizontalen Richtung erstreckt, als auch einen vertikalen Abschnitt aufweist, der sich entlang einer vertikalen Richtung erstreckt. A semiconductor device includes a semiconductor layer having a first surface and a second surface, a unit cell including a diode region of a first conductivity type formed in a surface layer portion of the first surface of the semiconductor layer, a well region of a sec