Kupferlegierungs-Bonddrähte für Halbleiterbauteile

Kupferlegierungs-Bonddraht für Halbleiterbauteile, der insgesamt 0,05 % Massenanteil oder mehr bis 3 % Massenanteil oder weniger von wenigstens einer Art oder mehreren Arten von ersten Elementen aufweist, die aus Ni, Ga, Ge, In und Ir ausgewählt sind, wobei der Kupferlegierungs-Bonddraht 0,0001 % Massenanteil oder mehr und 0,050 % Massenanteil oder weniger von einem jeden von wenigstens einer Art oder mehreren Arten von Elementen aufweist, die ausgewählt sind aus P und Mg, wobei der Rest Kupfer und unvermeidbare Verunreinigungen aufweist, und wobei der Kupferlegierungs-Bonddraht reiner bzw. nackter Kupferlegierungsdraht ist. In a copper alloy bonding wire for semiconductor devices, the bonding longevity of a ball bonded part under high-temperature and high-humidity environments is improved. The copper alloy bonding wire for semiconductor devices includes in total 0.03% by mass or more to 3% by mass or less of at least one or more kinds of elements selected from Ni, Zn, Ga, Ge, Rh, In, Ir, and Pt (first element), with the balance Cu and inevitable impurities. The inclusion of a predetermined amount of the first element suppresses production of an intermetallic compound susceptible to corrosion under high-temperature and high-humidity environments at the wire bonding interface and improves the bonding longevity of a ball bonded part.